Multiscale coupled plasma–feature simulation for 3D profile evolution in Si etching under HBr/Cl2 mixture plasmasAvailable to Purchase

半導体製造の微細加工では、プラズマ中のイオンやラジカルがシリコン表面を削る。本論文は、HBrとCl2の混合ガスプラズマを使ったSiエッチングで、溝や穴の3次元形状が時間とともにどう変化するかを予測するシミュレーションを扱う。プラズマ全体の計算と、微細構造内部の表面反応計算を連成させる「マルチスケール」手法が特徴。実際のプロセス開発で形状制御や条件最適化に役立つ可能性がある。ただし概要が公開されていないため、詳細な結果は本文確認が必要。