Computational study of the evolution of high-aspect-ratio SiO2 trench and hole features during physical sputteringAvailable to Purchase

この研究は、高アスペクト比を持つSiO2トレンチとホールの物理スパッタリング中の形状変化を計算機シミュレーションで調べたものです。スパッタリングによる材料除去と再付着の効果をモデル化し、時間とともに形状がどのように変化するかを解析しています。結果は、アスペクト比、側壁角度、底部形状の変化を定量的に示し、半導体製造プロセスの最適化に役立つ知見を提供します。特に、微細加工におけるスパッタリング工程の理解を深めます。