Following our calculations of electron impact dissociation rates of molecular H2, D2 and T2 (Trevisan and Tennyson 2002 Plasma Phys. Control. Fusion44 1263–76), calculations for the mixed isotopomers HD, HT and DT have been made. Total cross sections and energy differential cross sections at threshold energies as a function of vibrational states (v) for HD: v = 0–5, for HT: v = 0–5 and for DT: v = 0–7 are calculated for the electron impact dissociation through excitation to the b 3Σu+ excited electronic state, which is the dominant dissociation process at such energies. The rates of dissociation as a function of electron temperature for each state are parametrized. Coinciding with our previous results, near-threshold rates are shown to be so critically dependent on the vibrational level that dissociation from very high-lying vibrational levels must be included in calculations of the rate at local thermal equilibrium (LTE) even at low temperature. Rates for the higher vibrational levels are obtained by extrapolation following the procedure discussed in our previous publication, and are then used to calculate the LTE rate. The LTE rate is an order of magnitude greater than the v = 0 rate. A scaling law for the electron impact dissociation cross sections of vibrationally excited H2 and its isotopomers has been derived.
以下は、提供された英文アブストラクトの日本語訳です。 --- 分子状H₂、D₂、T₂の電子衝突解離率の計算（Trevisan and Tennyson 2002 Plasma Phys. Control. Fusion 44 1263–82）に続き、混合同位体種HD、HT、DTについての計算を行った。閾値エネルギーにおける全断面積およびエネルギー微分断面積を、振動準位の関数として、HDについてはv = 0–5、HTについてはv = 0–5、DTについてはv = 0–7に対して、b³Σu⁺励起電子状態を経由する電子衝突解離について計算した。この過程は、そのようなエネルギーにおいて支配的な解離過程である。各準位について、電子温度の関数としての解離率をパラメータ化した。これまでの結果と一致して、閾値付近での率は振動準位に極めて敏感に依存することが示され、局所熱平衡（LTE）における率の計算には、非常に高い振動準位からの解離を含める必要があることがわかった。高い振動準位に対する率は、前報で述べた手順に従って外挿により求め、それを用いてLTE率を計算した。LTE率はv = 0の率よりも一桁大きい。振動励起されたH₂およびその同位体種の電子衝突解離断面積に対するスケーリング則を導出した。