Low-k materials are among the promising interlayer dielectric in terms of reducing the circuit transmission time. H2/N2 plasma is currently considered to be appropriate for organic low-k material etching, with both N and H radicals playing important roles on the feature profile of the etching. We have numerically estimated the influence of active species on the feature profile evolution of an organic low-k by changing the H2/N2 mixture ratio by using a hybrid numerical model (extended-VicAddress), through the predictive image of the two frequency capacitively coupled plasma in H2/N2. We also discuss typical external plasma conditions producing a taper and bowing profiles. The predicted etch rate and feature profile reasonably reproduce the previous experimental results.
Low-k材料は、回路伝送時間を短縮する観点から有望な層間絶縁膜の一つである。H2/N2プラズマは、有機low-k材料のエッチングに適していると考えられており、NラジカルとHラジカルの両方がエッチングの形状に重要な役割を果たす。我々は、ハイブリッド数値モデル（拡張VicAddress）を用いて、H2/N2混合比を変化させることにより、有機low-kの形状進展に対する活性種の影響を数値的に評価した。また、テーパー形状およびボーイング形状を生成する典型的な外部プラズマ条件についても考察した。予測されたエッチング速度および形状は、これまでの実験結果を合理的に再現した。