By using intense laser irradiating a micro plane target obliquely, an enhanced γ-ray source is generated. Due to the superposition of the incident and the reflected laser pulses, electron bunches with density of ∼300nc are extracted and accelerated. When these electron bunches separate from the edge of the target that the laser is leaving, they co-propagate with the laser field and emit dense γ-rays simultaneously. Simulation results show that the emitted γ photons are 253nc dense with an averaged energy of ∼12 MeV. The yield of γ photons is ∼7 × 1012, achieving a high brightness of ∼4 × 1023. Influences of the laser intensity and the incident angle on the γ-rays emission are discussed. The γ-ray yield, the conversion efficiency from the laser to the γ-rays and the averaged γ-ray energy are increasing when irradiating a higher intensity laser. With the increasing of the incident angle, the peak photon density increases when the angle is smaller than 20° and then drops to a stable value, while the divergence decreases when the incident angle is smaller than ∼16° and then increases.
高強度レーザーをマイクロ平面ターゲットに斜め照射することにより、増強されたγ線源が生成される。入射レーザーパルスと反射レーザーパルスの重ね合わせにより、密度が約300ncの電子バンチが引き出され、加速される。これらの電子バンチがレーザーが離れるターゲットの端から分離する際、レーザー場とともに伝播し、同時に高密度のγ線を放出する。シミュレーション結果は、放出されたγ光子が約253ncの密度を持ち、平均エネルギーが約12MeVであることを示している。γ光子の収量は約7×10¹²であり、約4×10²²の高い輝度を達成している。レーザー強度と入射角がγ線放出に及ぼす影響について考察する。より高い強度のレーザーを照射すると、γ線収量、レーザーからγ線への変換効率、および平均γ線エネルギーが増加する。入射角が増加するにつれて、ピーク光子密度は角度が20°未満の場合に増加し、その後安定値に低下する一方、発散角は入射角が約16°未満の場合に減少し、その後増加する。