New results from the generation of runaways and the loss of runaway electrons in an ergodized magnetic field are presented. For the generation process, a clear difference between a 'normal' and a clean, freshly boronized wall condition has been found. Under clean wall conditions, one observes at low densities not only the runaway electrons with energies up to 30 MeV and at discharges with even lower electron density one finds more runaway electrons but at an energy in the low-MeV regime. The runaway electrons are utilized as test particles for revealing the ergodized magnetic field line structure. For the measurements the m/n = 6/2 base mode configuration of the dynamic ergodic divertor (DED), has been applied. One observes a clear modification of the radial runaway profile with preferential losses in the ergodized zone. From the loss rate of the runaway electrons due to ergodization and from the redistribution of the runaways after the DED phase, the diffusion rate is estimated to be of the order of 0.1 m2 s−1.
エルゴード化された磁場におけるランナウェイ電子の生成と損失に関する新たな結果を提示する。生成過程については、「通常の」壁状態と清浄で新しくボロン化された壁状態との間に明確な差異が見出された。清浄な壁状態では、低密度において、エネルギーが30 MeVまでのランナウェイ電子が観測されるだけでなく、さらに低い電子密度の放電では、低MeV領域のエネルギーでより多くのランナウェイ電子が観測される。ランナウェイ電子は、エルゴード化された磁力線構造を明らかにするためのテスト粒子として利用される。測定には、動的エルゴードダイバータ（DED）のm/n = 6/2基本モード構成が適用された。エルゴード化された領域における優先的な損失を伴う、ランナウェイ電子の動径方向プロファイルの明確な変化が観測される。エルゴード化によるランナウェイ電子の損失率と、DED位相後のランナウェイの再分布から、拡散率は約0.1 m² s⁻¹のオーダーであると推定される。