The first dc helicity injection is tried applying a voltage between two parallel plates, and effects on plasma performance are studied in the reversed field pinch plasma. The injected current is nearly proportional to the applied voltage VH with a small offset-induced voltage ( approximately -30 V), and a transient increase in the toroidal flux and a decrease in the poloidal field (plasma takes the more relaxed state) is found near the injection port, regardless of the polarity of VH. The induced voltage measured as a function of the insertion depth shows the presence of high-energy electrons.
直流ヘリシティ入射は、2枚の平行平板間に電圧を印加して試みられ、そのプラズマ性能への影響が反転磁場ピンチプラズマにおいて研究された。入射電流は印加電圧VHにほぼ比例し、小さなオフセット誘起電圧（約-30 V）を伴うことが観測された。また、VHの極性に関係なく、入射ポート近傍でトロイダル磁束の一時的な増加とポロイダル磁場の減少（プラズマがより緩和した状態になること）が見られた。挿入深さの関数として測定された誘起電圧は、高エネルギー電子の存在を示している。