We report a low energy electron collision calculation with the BeN molecule in its X ground state using the molecular R-matrix method at a single geometry, namely, the equilibrium a0 of the molecule. Using a suitable target model, we have calculated the elastic cross section and cross sections for electron impact excitation in several low-lying excited states of BeN. Cross sections for electron impact dissociation is derived from the electronic excitation cross sections. In addition, molecular data on bound sates of BeN and e-BeN negative ion resonances and widths at the target equilibrium Re that may be relevant for other studies are also provided.
我々は、平衡核間距離a0におけるBeN分子のX基底状態に対する、分子R行列法を用いた単一の分子構造での低エネルギー電子衝突計算を報告する。適切な分子モデルを用いて、弾性散乱断面積と、BeNのいくつかの低励起状態への電子衝突励起断面積を計算した。電子衝突による解離断面積は、電子励起断面積から導出した。さらに、平衡核間距離ReにおけるBeNの束縛状態およびe-BeN負イオン共鳴のエネルギーと幅に関する分子データも提供する。これらのデータは、他の研究においても有用である。