The phenomenon of ion induced sputtering is integral to many applications. In magnetically confined fusion, this sputtering is important for both the lifetime of the plasma facing components and the contamination of the plasma. A method has been developed to obtain both the angular distribution and the total sputtering yield. The total yield is determined by collecting the sputtered material on a quartz crystal microbalance. The sputtered material is also collected on a pyrolytic graphite collector plate. By mapping the concentrations of the sputtered material on this plate, both the polar and the azimuthal angular distribution can be determined. Utilizing this set-up, data have been obtained for 10 to 700 eV D+ on beryllium at a 45° angle of incidence to the normal. Subthreshold sputtering (0.004 ± 0.003 at 10 eV) has been observed. These data are some of the first to become available, especially at the lower energies.
イオン誘起スパッタリングの現象は、多くの応用において不可欠である。磁気閉じ込め核融合において、このスパッタリングはプラズマ対向機器の寿命とプラズマの汚染の両方にとって重要である。角度分布と全スパッタリング収率の両方を得るための方法が開発された。全収率は、スパッタされた材料を水晶振動子マイクロバランス上に捕集することによって決定される。スパッタされた材料はまた、熱分解グラファイト捕集板上にも捕集される。この板上のスパッタされた材料の濃度分布をマッピングすることにより、極角および方位角の両方の角度分布を決定することができる。この装置を用いて、法線に対して45度の入射角におけるベリリウム上の10〜700 eVのD+についてのデータが得られた。しきい値以下のスパッタリング（10 eVにおいて0.004 ± 0.003）が観測された。これらのデータは、特に低エネルギー領域において、利用可能となった最初のものの一部である。