Secondary electron suppression analysis for compact neutron generators

本論文は、小型中性子発生器における二次電子の抑制解析に焦点を当てています。中性子発生器では、イオンビームとターゲットの衝突により二次電子が発生し、これが高電圧の絶縁破壊やビーム輸送の効率低下を引き起こす問題があります。著者らは、電磁場シミュレーションを用いて二次電子の軌跡を解析し、抑制のための電極形状や磁場配置を提案しています。その結果、適切な設計により二次電子の発生を大幅に低減できることを示しました。本研究成果は、コンパクトな中性子源の信頼性向上と長寿命化に寄与します。