DIII-D discharges that transition to H-mode solely with off-axis electron cyclotron heating (ECH) often exhibit strong off-axis peaking of electron temperature profiles at the heating location. Electron heat transport properties near these off-axis temperature peaks have been studied using modulated ECH. The Fourier analyzed electron temperature data have been used to infer electron thermal diffusivity. Comparisons with numerical solutions of the time-dependent electron thermal equation find that the data are consistent with a narrow region with electron diffusivity χe an order of magnitude lower than the average value across the plasma, suggesting an electron internal transport barrier (ITB) near the ECH heating location. Detailed profile analysis and equilibrium reconstructions suggest that the formation of these ITBs are correlated with off-axis values of the safety factor q being near 1. Furthermore, the ECH driven H-mode discharges demonstrate more rapid electron heating rate near the ECH deposition location than L-mode discharges with higher auxiliary ECH heating power. Additional modeling attributes this difference to the modification of electron heat transport in the core at the L-H transition, which also sustains the off-axis electron temperature peaks.
DIII-Dにおいて、オフ軸電子サイクロトロン加熱（ECH）のみでHモードへ遷移する放電では、加熱位置における電子温度分布の強いオフ軸ピーキングがしばしば観測される。これらのオフ軸温度ピーク近傍での電子熱輸送特性は、変調ECHを用いて研究されてきた。フーリエ解析された電子温度データから、電子熱拡散率が推定された。時間依存の電子熱輸送方程式の数値解との比較により、データは、ECH加熱位置近傍に、プラズマ全体の平均値より一桁低い電子拡散率χeを持つ狭い領域が存在することと整合的であり、これはECH加熱位置近傍での電子内部輸送障壁（ITB）の形成を示唆している。詳細な分布解析と平衡再構成から、これらのITBの形成は、安全係数qのオフ軸値が1に近いことと相関していることが示された。さらに、ECH駆動のHモード放電は、より高い補助ECH加熱パワーを有するLモード放電よりも、ECH堆積位置近傍でより速い電子加熱率を示す。追加のモデリングにより、この差異はL-H遷移時のコアにおける電子熱輸送の変化に起因し、この変化がオフ軸電子温度ピークを維持していることが示された。