In order to identify reliable scalings for the scrape-off layer (SOL) power width it is necessary to know the location of the separatrix in divertor tokamaks as accurately as possible, specifically its location at the outside midplane (OMP) the standard reference location. Two methods are described which use power accounting to improve the accuracy of identifying the location of the OMP separatrix. The first uses the infrared-measured deposited power profile at the outer target as the primary input, the ' method'. The second uses the measured power input to the SOL, obtained by subtracting the power radiated from inside the separatrix from the total heating power, the ' method'. These two power accounting methods are illustrated with the examples of 21 H-mode DIII-D discharges. High spatial resolution Thomson scattering measured profiles of ne and Te for the main SOL near the OMP are also used as primary input to the analysis; only between-edge localized mode data are used here. The Thomson profiles are used to calculate the electron parallel conducted heat flux profiles which are then matched to the measured and by adjusting the location of the OMP separatrix relative to that of the Thomson data. For these attached discharges, it is found that the values of given by the two power accounting methods agree to within ∼1 mm of each other and also to within ∼1 mm of the values given by the 'standard DIII-D method' described by Porter et al (1998 Phys. Plasmas5 1410). The shifted results in only modest changes to the values of ne and Te at the OMP separatrix relative to the 'standard' values, increasing by 8% and by 20%.
スクレイプオフ層（SOL）パワー幅の信頼できるスケーリングを特定するためには、ダイバータトカマクにおけるセパラトリクスの位置を可能な限り正確に知る必要がある。特に、標準的な参照位置である外側中平面（OMP）での位置が重要である。OMPセパラトリクスの位置特定精度を向上させるために、パワー収支を用いる2つの方法を説明する。第1の方法は、外側ターゲットでの赤外線測定による堆積パワープロファイルを主要な入力として用いる「 」法である。第2の方法は、全加熱パワーからセパラトリクス内部で放射されたパワーを差し引いて得られるSOLへの入力パワーを用いる「 」法である。これらの2つのパワー収支法を、21回のHモードDIII-D放電の例で示す。OMP近傍の主SOLにおける高空間分解能トムソン散乱測定によるneおよびTeのプロファイルも解析の主要な入力として用いる。ここではエッジ局在モード間のデータのみを使用する。トムソンプロファイルを用いて電子の平行伝導熱流束プロファイルを計算し、OMPセパラトリクスの位置をトムソンデータの位置に対して調整することにより、測定された □ と □ に一致させる。これらの付着放電において、2つのパワー収支法によって与えられる □ の値は互いに約1mm以内で一致し、またPorterら（1998 Phys. Plasmas 5 1410）によって記述された「標準DIII-D法」によって与えられる値とも約1mm以内で一致することがわかった。シフトされた □ の結果は、OMPセパラトリクスにおけるneとTeの値にわずかな変化しかもたらさず、「標準」値に対して □ を8%、□ を20%増加させる。