Electron internal transport barriers (eITBs) are obtained in TCV with different heating and current drive schemes. They are sustained in steady-state conditions for several energy confinement and current redistribution times. In these scenarios, the density profile displays a different behaviour with respect to normal L-mode plasmas, with or without auxiliary heating. In fully non-inductive discharges developing an eITB, the density profile shape is strongly correlated with the electron temperature profile, with the normalized density gradient equal to 0.45 times the normalized temperature gradient, revealing the existence of a significant inward pinch of a thermodiffusive type. The coupling of the two profiles is observed from the 'foot' of the barrier inwards. The effect of small inductive current perturbations on fully non-inductive sustained eITBs shows that ∇n/n is only indirectly coupled to the current profile, through its effect on local confinement, contrary to the standard L-mode.
電子内部輸送障壁（eITB）は、TCVにおいて異なる加熱および電流駆動方式で得られる。それらは、定常状態条件下で、エネルギー閉じ込め時間および電流再分布時間の数倍にわたって維持される。これらのシナリオでは、密度分布は、補助加熱の有無にかかわらず、通常のLモードプラズマとは異なる挙動を示す。eITBが発達する完全非誘導放電では、密度分布形状は電子温度分布と強く相関し、規格化密度勾配は規格化温度勾配の0.45倍に等しく、熱拡散型の有意な内向きピンチの存在を示している。この2つの分布の結合は、障壁の「フット」から内側で観測される。完全非誘導で維持されたeITBに対する小さな誘導電流摂動の影響は、∇n/nが電流分布に直接結合するのではなく、局所閉じ込めへの影響を通じて間接的にのみ結合することを示しており、標準的なLモードとは対照的である。