AbstractRecent developments in fusion have led to reconsider the use of high-Z material as Plasma Facing Component (PFC). Tungsten is presently a good candidate according to its high energy threshold for physical sputtering and its lack of sensitivity to chemical sputtering. We present here a new deposition process of Tungsten, based on Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition (PACVD). This process has been used to deposit tungsten and rhenium on several substrates. The analyses of the coating properties have shown good adhesion on graphite, stainless-steel and copper. A study has been done to apply this process to cover the plasma facing components in Tore-Supra
核融合研究の最近の進展により、プラズマ対向機器（PFC）として高Z材料を使用することが再考されるようになった。タングステンは、物理スパッタリングに対する高いエネルギー閾値と化学スパッタリングに対する感受性の低さから、現時点で優れた候補材料である。本稿では、プラズマ支援化学蒸着（PACVD）に基づくタングステンの新しい堆積プロセスを提示する。このプロセスを用いて、複数の基板上にタングステンおよびレニウムを堆積させた。コーティング特性の分析により、グラファイト、ステンレス鋼、および銅に対する良好な密着性が示された。さらに、このプロセスをトア・シュプラのプラズマ対向機器に適用するための研究が実施された。