Effects of fabrication method of SiC and ion irradiation for the diffusion bonded interface on W/SiC joints

核融合炉の機器では、熱に強いタングステン（W）と軽くて丈夫な炭化ケイ素（SiC）を組み合わせたいというニーズがあります。しかし性質の違う材料をくっつけるのは簡単ではありません。この研究は、SiCの作り方（作製方法）の違いと、接合界面にイオンを当てる（イオン照射する）ことが、WとSiCの拡散接合にどのような影響を与えるかを調べたものです。接合部の強さや組織が、SiCの作り方や照射によってどう変わるかを評価し、より信頼できる接合方法を探ることを目指しています。核融合炉材料や異種材料接合に興味のある人に役立つ内容です。