AbstractOur recently proposed theory on X-ray energy responses of semiconductor detectors is based on the physics principle of the three-dimensional diffusion of X-ray-produced charges in a semiconductor field-free substrate region. In this paper, this diffusion process is experimentally verified using a spatially distributed charge profile produced by an X-ray beam in a multi-channel semiconductor detector. Actual X-ray profile data are distorted because of the effect of the diffusion. Using this theoretical principle, a new X-ray analysis method for obtaining plasma electron temperature profiles (that have no dependence on plasma densities) is proposed.
我々が最近提案した半導体検出器のX線エネルギー応答に関する理論は、半導体の電界のない基板領域におけるX線生成電荷の三次元拡散という物理原理に基づいている。本論文では、この拡散過程を、多チャンネル半導体検出器内のX線ビームによって生成された空間電荷分布を用いて実験的に検証する。実際のX線プロファイルデータは、拡散の影響により歪められている。この理論的原理を用いて、プラズマ密度に依存しないプラズマ電子温度分布を取得するための新しいX線解析手法を提案する。