AbstractIPP Garching has been developing a RF ion source for H− production. In order to improve the data quality a new scanning probe system with passive RF compensation has been installed on the Type VI ion source on the BATMAN test stand. Using this probe, measurements have been carried out to study changes to the plasma parameters (electron density, electron temperature, and plasma potential) due to variation in the source operating conditions. The data were collected at a source pressure of 0.5 Pa and with 60±5 kW applied RF power. Presented are some of the results of these measurements, focusing on the effect of: argon seeding, addition of Cs to the source, and the newly added Faraday screen. The electron density behaves in a fashion that agrees with the theory of ambipolar diffusion. Typically there is little change to the average electron energy observed regardless of which effect is considered. The plasma potential shows the most significant changes with external source conditions, both in value for all cases and shape when the Faraday screen was added.
IPPガルヒングでは、H⁻生成用のRFイオン源を開発している。データ品質を向上させるため、BATMANテストスタンド上のType VIイオン源に、パッシブRF補償を備えた新しい走査プローブシステムを設置した。このプローブを用いて、イオン源の運転条件の変化に伴うプラズマパラメータ（電子密度、電子温度、プラズマ電位）の変化を調べるための測定を実施した。データは、RF投入電力60±5kW、圧力0.5Paの条件下で収集された。本稿では、これらの測定結果の一部を示し、特にアルゴン導入、イオン源へのセシウム添加、および新たに追加されたファラデーシールドの影響に焦点を当てる。電子密度の挙動は、両極性拡散の理論と一致する。観測された平均電子エネルギーの変化は、いずれの効果を考慮した場合でも概して小さい。プラズマ電位は、外部条件の変化に対して最も顕著な変化を示し、すべてのケースでその値が変化し、ファラデーシールドを追加した場合にはその分布形状も変化した。