Experiments in which very localized electron cyclotron heating (ECH) isscanned through the RTP plasma show sharp transitions, in which theelectron temperature profile abruptly changes shape. The phenomenology - theprofiles shapes, the sharp transitions - can be reproduced with atransport model which features electron transport barriers near all (half-)integer q values. This model is tested against ECH deposition scans in sevenseries of typically 60 discharges. Between the series qa and <ne> werevaried: 4<qa<10 and 1.5<<ne>×1019 m-3<4.5. For a single scan, the model parameters are fixed. The model is capable of reproducing alldata sets. A sensitivity analysis shows that the determination of thestrength of the barriers at integer q values is very stable. These barriersshow a trend χe(barrier)~<ne>-1, whilethe dependence on qa is weak. The model reproduces the <ne> and qa components of L-mode scaling of global confinement.
局所的な電子サイクロトロン加熱（ECH）をRTPプラズマ中で走査した実験では、電子温度分布の形状が急激に変化する鋭い遷移が観測される。この現象論——分布形状、鋭い遷移——は、すべての（半）整数q値の近傍に電子輸送障壁を特徴とする輸送モデルによって再現できる。このモデルは、典型的には各60回の放電からなる7系列のECH堆積走査に対して検証された。各系列間ではqaと<ne>を変化させた：4<qa<10、1.5<<ne>×1019 m-3<4.5。単一の走査に対しては、モデルパラメータは固定される。このモデルはすべてのデータセットを再現可能である。感度解析により、整数q値における障壁の強度の決定は非常に安定であることが示される。これらの障壁はχe(障壁)~<ne>-1という傾向を示し、一方qaへの依存性は弱い。このモデルは、全体閉じ込めのLモードスケーリングにおける<ne>およびqa成分を再現する。