Measurements of Si I- and Si II-emission lines were performed in the front of a test limiter under two different conditions: (i) silicon is sputtered from a silicon layer deposited on a graphite test limiter, (ii) silane is puffed into the plasma through a gas inlet in the limiter head, setting Si-atoms free from the dissociation of SiD4 molecules. It was shown that the relative intensities of the emission lines within the multiplets are in good agreement with theoretical data calculated in the SL-coupling scheme. The values for `ionization per photon' were calculated for the electron temperature range below 100 eV using the GKU kinetic code and compared with measured ones. The measured and theoretical values for the Si II-emission lines are in reasonable agreement within a deviation of 30%. It was found that experimentally measured values for Si I lines match the calculated ones only when a LTE-population of 3p2 SL terms (3P, 1D and 1S) is assumed.
Si I-およびSi II-発光線の測定は、試験リミター前面において2つの異なる条件下で実施された：(i) 黒鉛試験リミター上に堆積したシリコン層からシリコンがスパッタリングされる場合、(ii) リミターヘッドのガス導入口からシランがプラズマ中に噴射され、SiD4分子の解離によってSi原子が遊離する場合。多重項内の発光線の相対強度は、SL結合スキームで計算された理論値と良好な一致を示すことが明らかにされた。「光子当たりの電離」の値は、GKU運動論コードを用いて電子温度100 eV以下の範囲で計算され、測定値と比較された。Si II発光線の測定値と理論値は、30%の偏差以内で合理的な一致を示した。Si I線の実験的に測定された値は、3p2 SL項（3P、1Dおよび1S）のLTE分布を仮定した場合のみ、計算値と一致することが見出された。