A few new results of oxidation wall conditionings for deposits removal and hydrogen release were directly obtained on exposure of co-deposited films to O-ICR or O-GDC plasmas in HT-7. After the O-ICR or O-GDC treatments, the deposits were partially removed and deuterium retention was reduced. D2 release from samples was reduced by a factor of 2–3, and the ratio of D/C decreased whereas that of O/C increased. The removal rates of C in various oxidation wall conditionings were about 1018–1019C m−2 min−1, which approached the estimated carbon deposited rates, of about 5.2 × 1018C m−2 min−1, on the tested samples. The He/O-ICR was more effective on the deposits removal and hydrogen (deuterium) release than O-GDC. And O-ICR was more effective on the surface facing main plasma than on that facing SOL plasma, whereas O-GDC possibly has uniform effectivity on both tested surfaces.
HT-7において、O-ICRまたはO-GDCプラズマへの曝露により、共堆積膜の酸化壁コンディショニングに関するいくつかの新しい結果が直接得られた。O-ICRまたはO-GDC処理後、堆積物は部分的に除去され、重水素保持は低減した。試料からのD2放出は2～3倍減少し、D/C比は減少した一方、O/C比は増加した。様々な酸化壁コンディショニングにおけるCの除去速度は約10¹⁸～10¹⁹C m⁻² min⁻¹であり、これは試験試料上の推定炭素堆積速度（約5.2×10¹⁸C m⁻² min⁻¹）に近い値であった。He/O-ICRは、O-GDCよりも堆積物除去と水素（重水素）放出に効果的であった。また、O-ICRは主プラズマに面する表面に対してより効果的であり、SOLプラズマに面する表面に対しては効果が低かったが、O-GDCは両試験表面に対してほぼ均一な効果を示す可能性があった。