Active control of plasma profiles is an essential requirement for operating within plasma stability limits, for steady-state operation and for optimization of the plasma performance. In DIII-D, plasma profiles have been actively controlled using various actuators in the following manner: (a) real time closed loop control of the q profile evolution using electron cyclotron heating and neutral beam injection as actuators; (b) active control of the density and pressure profiles in quiescent H-mode and quiescent double barrier plasmas using electron cyclotron current drive (ECCD) and pellet injection; (c) active control of the edge profiles to suppress edge localized modes using resonant magnetic perturbation with toroidal mode number n = 3, (d) real time control of the current density profile to suppress neoclassical tearing modes using localized deposition of co-ECCD.
プラズマ分布の能動制御は、プラズマ安定性限界内での運転、定常運転、およびプラズマ性能の最適化にとって不可欠な要件である。DIII-Dでは、プラズマ分布は以下の方法で様々なアクチュエータを用いて能動制御されてきた：(a) 電子サイクロトロン加熱と中性粒子ビーム入射をアクチュエータとして用いたq分布時間発展のリアルタイム閉ループ制御；(b) 電子サイクロトロン電流駆動（ECCD）とペレット入射を用いたクエセントHモードおよびクエセント二重障壁プラズマにおける密度・圧力分布の能動制御；(c) トロイダルモード数n = 3の共鳴磁場摂動を用いた周辺局在モード抑制のための周辺分布の能動制御；(d) 共回転ECCDの局所堆積を用いた新古典テアリングモード抑制のための電流密度分布のリアルタイム制御。