The chemical sputtering yields of CH4/CD4 and C2Hx/C2Dx have been measured at the divertor plates of JT-60U. Spectroscopic measurements for CH/CD and C2 spectral bands are applied to estimate the CH4/CD4 and the C2Hx/C2Dxflux. At the surface temperatures of 380, 440 and 560 K, the CH4 yield is, respectively, ~0.8%, 1-2% and 2-3%, the C2Hx yield 1-2%, 3-4% and 4-5%, and the total sputtering yield by hydrogen ions 3-4%, ~8% and ~10%. With increasing ion flux to the divertor plates (Γion), the sputtering yields (Y) decrease, i.e. Y∝Γion(-0.05 to -0.40). With increasing electrontemperature (Te), the sputtering yields increase, i.e. Y∝Te0.5. It is concluded from the result of regression analysis of Y∝Te0.5 that the negative dependence of the yields on the ion flux is attributedto the incident ion energies to the carbon plates. The ratio of thesputtering yields by deuterium ions and hydrogen ions is estimated to be⩾1.5 based on the ion flux measurement by Hα/Dα intensity. The C2Hx/C2Dxsputtering yield accounts for ~80% of the total number ofsputtered carbon atoms.
JT-60Uのダイバータ板におけるCH4/CD4およびC2Hx/C2Dxの化学スパッタリング収量を測定した。CH/CDおよびC2スペクトルバンドの分光測定を適用して、CH4/CD4およびC2Hx/C2Dxフラックスを推定した。表面温度380、440、560 Kにおいて、CH4収量はそれぞれ約0.8%、1-2%、2-3%であり、C2Hx収量は1-2%、3-4%、4-5%、水素イオンによる全スパッタリング収量は3-4%、約8%、約10%であった。ダイバータ板へのイオンフラックス(Γion)の増加に伴い、スパッタリング収量(Y)は減少する、すなわちY∝Γion(-0.05〜-0.40)である。電子温度(Te)の増加に伴い、スパッタリング収量は増加する、すなわちY∝Te0.5である。Y∝Te0.5の回帰分析の結果から、収量のイオンフラックスに対する負の依存性は、炭素板への入射イオンエネルギーに起因すると結論づけられる。重水素イオンと水素イオンによるスパッタリング収量の比は、Hα/Dα強度によるイオンフラックス測定に基づき、⩾1.5と推定される。C2Hx/C2Dxスパッタリング収量は、スパッタリングされた炭素原子の総数の約80%を占める。