A reflectometer, based on the amplitude modulation technique, has been developed and operated on a PBX-M for the measurement of electron density profile. The system, operating with the extraordinary mode in the range of 32-50 GHz, is able to measure the density profile in the plasma edge from the scrape-off layer up to typically r/a=0.7. The determination of the time delay for each frequency is achieved by measuring the phase delay of a 200 MHz amplitude modulation envelope superimposed on the millimetre wave probing signal. The system has a final bandwidth of 40 kHz and is able to obtain the edge profile during a 1 ms sweep of the microwave source. High quality profiles are obtained in systematic good agreement with Thomson scattering measurements. The profile reconstruction from the raw data is direct, with only a need for minimal data processing. Profiles have been measured for ohmic, RF and NBI heated discharges. Features of the profile changes in the kH transition are shown. One of the goals of the instrument has been the measurement of the slight modifications to the edge density profile produced by the injection of ion Bernstein waves. These changes have been clearly observed and are in agreement with theoretical expectations.
振幅変調技術に基づく反射計を開発し、PBX-Mにおいて電子密度分布の測定に適用した。本システムは32〜50 GHzの範囲の異常波モードで動作し、スクレイプオフ層から典型的にはr/a=0.7までのプラズマ周辺部の密度分布を測定することができる。各周波数における時間遅延の決定は、ミリ波プローブ信号に重畳された200 MHzの振幅変調エンベロープの位相遅延を測定することによって達成される。本システムは最終的に40 kHzの帯域幅を有し、1 msのマイクロ波掃引期間中に周辺分布を取得することができる。得られた分布は、トムソン散乱測定と系統的に良好な一致を示す。生データからの分布再構成は直接的であり、最小限のデータ処理のみを必要とする。オーミック加熱、RF加熱、NBI加熱の各放電において分布が測定された。kH遷移における分布変化の特徴が示されている。本装置の目的の一つは、イオンバーンスタイン波の入射によって生じる周辺密度分布のわずかな変化を測定することであり、これらの変化は明確に観測され、理論的予測と一致している。