Through SOLPS-ITER simulations of DIII-D and MAST-U, an X-divertor (XD) on DIII-D and a super X-divertor (SXD) on MAST-U were shown to have increased carbon emissivity (PRad/nenI) over corresponding standard divertors (SD) at similar degrees of partial detachment. The reasons behind the increased emissivity in the DIII-D XD and SXD are analyzed using a simple 0D transport model. From the transport model, it is seen that a major cause of the increased emissivity in the XD and SXD over the SDs is a shorter impurity confinement time. An additional cause (for the SXD) is an increase in the ratio of neutral hydrogen to electron density. The input power (Pin) was varied and the XD had a higher emissivity at the higher Pin, unlike the SDs which had the emissivity decrease with increasing Pin. A basic geometrical reason is given to explain both the benefits of the XD over the SD as well as the increase in the XD's emissivity with Pin.
SOLPS-ITERシミュレーションを通じて、DIII-D上のXダイバータ（XD）とMAST-U上のスーパーXダイバータ（SXD）は、同程度の部分的な非接触状態において、対応する標準ダイバータ（SD）と比較して、炭素放射率（PRad/nenI）が増加することが示された。DIII-DのXDおよびSXDにおける放射率増加の理由は、単純な0D輸送モデルを用いて分析された。輸送モデルから、XDおよびSXDにおける放射率増加の主な原因は、不純物閉じ込め時間の短縮であることがわかる。追加の原因（SXDの場合）は、電子密度に対する中性水素密度の比の増加である。入力パワー（Pin）を変化させたところ、XDはより高いPinでより高い放射率を示したが、SDはPinの増加に伴い放射率が減少した。XDがSDよりも優れている理由と、XDの放射率がPinとともに増加する理由の両方を説明するために、基本的な幾何学的理由が示されている。