Electron Bernstein wave heating is calculated for conventional heliotron configurations by using a ray tracing numerical code in which three-dimensional magnetic field structure is considered. The ordinary (O)-extraordinary (X)-electron Bernstein (B) and X-B conversions are treated. In the O-X-B heating, since the magnetic shear is strong and the poloidal field is comparable with the toroidal one, the launching angle should be adjusted both toroidally and poloidally for optimum O-X conversion. The calculation has shown that the power absorption is strongly Doppler shifted due to the large parallel refractive index caused by the inhomogeneity of the magnetic field. The absorption position is weakly dependent on the electron density and temperature, and it can be controlled by changing the magnetic field strength. The slow X-B heating is also possible by launching the X-mode from the vacuum chamber port located at the low-field side because of the three-dimensional magnetic field structures in heliotron configurations. The accessible window in launching angle is rather wide, and the power absorption can be controlled from on-axis to off-axis, which depends on the launching angle, magnetic field and electron density.
電子バーンスタイン波加熱は、3次元磁場構造を考慮した光線追跡数値コードを用いて、従来型ヘリオトロン配位について計算される。O（常異常波）–X（異常波）–B（電子バーンスタイン波）変換およびX–B変換が扱われる。O–X–B加熱においては、磁気シアが強く、ポロイダル磁場がトロイダル磁場と同程度であるため、最適なO–X変換のためには入射角をトロイダル方向およびポロイダル方向の両方で調整すべきである。計算により、磁場の不均一性に起因する大きな平行屈折率のために、電力吸収は強くドップラーシフトすることが示された。吸収位置は電子密度および電子温度に弱く依存し、磁場強度を変化させることによって制御可能である。低速X–B加熱も、ヘリオトロン配位における3次元磁場構造のために、低磁場側に位置する真空容器ポートからXモードを入射することによって可能である。入射角に関する許容窓はかなり広く、電力吸収は軸上から軸外まで制御可能であり、これは入射角、磁場および電子密度に依存する。