Type-II superlattice (T2SL) devices have the potential to be the new generation of semiconductor-based devices, however fabrication of these devices leads to surface defects that can create surface leakage channels. Passivation methods that are typically used in traditional semiconductors have proved unsuccessful. In this paper we present the initial findings of a low-temperature atmospheric pressure plasma polymerisation process capable of removing the unwanted oxide layers and depositing a thin layer of polymer to protect the surface. We examine the effect of monomer flow rate on the plasma optical emission and electrical characteristics and investigate the deposition chemistry. Finally, we demonstrate the effectiveness of the plasma treatment on T2SL devices and underpin the potential for this technique. These results were presented at the 50th IOP Plasma Physics Conference, April 2024.
Type-II超格子（T2SL）デバイスは、次世代の半導体ベースデバイスとなる可能性を秘めているが、これらのデバイスの作製は表面欠陥を生じさせ、表面リーク経路を生み出す可能性がある。従来の半導体で一般的に使用される不動態化法は成功していない。本稿では、不要な酸化物層を除去し、表面を保護するポリマーの薄膜を堆積することができる低温大気圧プラズマ重合プロセスの初期知見を提示する。我々は、モノマー流量がプラズマ発光および電気的特性に及ぼす影響を調査し、堆積化学を調べる。最後に、T2SLデバイスに対するプラズマ処理の有効性を実証し、この技術の可能性を裏付ける。これらの結果は、2024年4月に開催された第50回IOPプラズマ物理学会議で発表された。