The transport of silicon has been investigated for various heating scenarios in ASDEX Upgrade H-mode discharges. Inside of r≈a/4, the diffusion coefficient D is either mainly neoclassical or anomalous depending on the heating method. For all investigated scenarios with NBI-heating and off-axis ECRH or off-axis ICRH, the diffusion coefficient is approximately neoclassical, and the effective heat diffusion coefficient χeff is below the neoclassical ion heat diffusion χi,neo in the plasma core. When central ECRH is added, χeff is above χi,neo, and D strongly increases by a factor of 3–10, i.e. becomes predominantly anomalous. For central ICRH, D is above the neoclassical level by a factor of 2.For radii outside of r≈a/4, D is always anomalous and increases towards the plasma edge. For r≫a/4, we find a clear scaling of D in terms of χeff, where D is about equal or above χeff. A strong inward drift parameter v/D is only observed in the core and only for cases, when the diffusion coefficient is neoclassical. With central wave heating, the drift parameter decreases to small values.
シリコンの輸送は、ASDEX Upgrade Hモード放電における様々な加熱シナリオについて調査された。r≈a/4の内側では、拡散係数Dは加熱方法に応じて主に新古典的または異常的のいずれかである。NBI加熱とオフ軸ECRHまたはオフ軸ICRHを用いた全ての調査シナリオにおいて、拡散係数はほぼ新古典的であり、実効熱拡散係数χeffはプラズマ中心部における新古典的イオン熱拡散係数χi,neoを下回る。中心ECRHを追加すると、χeffはχi,neoを上回り、Dは3〜10倍に強く増加する、すなわち主に異常的となる。中心ICRHの場合、Dは新古典的レベルを2倍上回る。r≈a/4の外側の半径では、Dは常に異常的であり、プラズマ端に向かって増加する。r≫a/4では、χeffに関するDの明確なスケーリングが見られ、Dはχeffとほぼ等しいかそれ以上となる。強い内向きドリフトパラメータv/Dは、中心部でのみ、かつ拡散係数が新古典的である場合にのみ観測される。中心波加熱では、ドリフトパラメータは小さな値に減少する。