Impurity transport during FTU electron internal transport barrier (ITB) discharges has been studied by means of a one-dimensional time dependent transport model to reproduce plasma line and continuum emissions. The impurity behaviour has been explored in two different experimental frames in which the formation and maintenance of an ITB is obtained in FTU. In the first scenario the lower hybrid and electron cyclotron resonance heating waves are launched during the current (Ip) flat-top phase, while in the second scenario the RF power is injected early during the Ip ramp-up phase.A diffusion coefficient enhanced inside the barrier, by a factor of 10, and an inward pinch velocity linearly increasing with the radius up to 3.5 m s−1, as found in the Ohmic case, are necessary to reproduce FTU plasma emission in the first scenario. A diffusion coefficient lowered inside the barrier (by a factor of 2) and about the same inward pinch velocity (v(a) = 5 m s−1 in this case) have to be assumed to interpret the impurity behaviour if the RF power is injected during the Ip ramp-up phase. These diffusion coefficient profiles are similar to the ion thermal diffusivity profiles predicted by the JETTO code: an improved electron thermal conductivity at the centre but degraded ion thermal conductivity is predicted for the flat-top ITB case, while improved electron thermal conductivity in the centre with a slightly improved ion diffusion inside the barrier results in the ramp-up ITB.
不純物輸送は、FTU電子内部輸送障壁（ITB）放電中に、プラズマのラインおよび連続発光を再現するための一次元時間依存輸送モデルを用いて研究された。不純物の挙動は、FTUにおいてITBの形成と維持が得られる2つの異なる実験条件で調査された。第1のシナリオでは、低混成波および電子サイクロトロン共鳴加熱波は、電流フラットトップ（Ip）位相中に投入され、第2のシナリオでは、RFパワーはIpランプアップ位相中に早期に投入される。第1のシナリオでは、オーミックの場合に見られるように、障壁内部で拡散係数を10倍に増大させ、半径方向に線形に増加する内向きピンチ速度（最大3.5 m s⁻¹）を仮定することで、FTUプラズマ発光を再現することが必要である。第2のシナリオでは、Ipランプアップ位相中にRFパワーが投入される場合、障壁内部で拡散係数を2倍に低下させ、ほぼ同じ内向きピンチ速度（この場合v(a) = 5 m s⁻¹）を仮定することで、不純物の挙動を解釈できる。これらの拡散係数プロファイルは、JETTOコードによって予測されたイオン熱拡散係数プロファイルと類似している。すなわち、フラットトップITBの場合には、中心部で電子熱伝導度が改善されるが、イオン熱伝導度は劣化すると予測され、一方、ランプアップITBの場合には、中心部で電子熱伝導度が改善され、障壁内部でイオン拡散がわずかに改善される結果となる。