Electron heat transport properties have been investigated by means of localized steady-state and modulated electron cyclotron heating in the ASDEX Upgrade tokamak. The experimental findings have been successfully compared with the model assumption of a threshold gradient length, LTc, (1/LT = −∇Te0/Te0), in the electron temperature Te0 below which the electron thermal conductivity measured under steady-state conditions, χePB, shows a sudden increase and the heat conduction 'seen' by a temperature perturbation, χeHP, switches from low to high values.In this work electron cyclotron heating (ECH) power is used both to modify the steady-state gradient length and to induce a nonlinear transition from low to high electron heat transport at the position where the temperature gradient crosses its critical (or threshold) value. Steady-state ECH has been injected at different radial positions and the changes induced in electron heat transport have been studied by means of cold pulses launched from the plasma boundary. Cold pulses, obtained by injecting radiating impurities by means of laser blow off of silicon, have proved to be a flexible tool for investigating both the radial position of the step in χeHP and the dependence on local plasma parameters of the underlying physical mechanism.
電子熱輸送特性は、ASDEX Upgradeトカマクにおける局所定常および変調電子サイクロトロン加熱を用いて調査された。実験結果は、電子温度Te0における閾値勾配長L Tc（1/L T = −∇Te0/Te0）のモデル仮定と首尾よく比較された。この閾値勾配長を下回ると、定常条件下で測定された電子熱伝導率χeは急激な増加を示し、温度摂動によって「感知される」熱伝導率χeは低値から高値へと切り替わる。本研究では、電子サイクロトロン加熱（ECH）出力を、定常勾配長を修正するためと、温度勾配がその臨界（または閾値）値を横切る位置における電子熱輸送の低値から高値への非線形遷移を誘起するための両方に使用した。定常ECHを異なる半径位置に注入し、電子熱輸送に生じた変化を、プラズマ境界から入射した冷パルスを用いて調べた。シリコンのレーザーアブレーションによる放射不純物の注入によって得られた冷パルスは、χeのステップの半径位置と、その基礎となる物理メカニズムの局所プラズマパラメータへの依存性の両方を調査するための柔軟なツールであることが実証された。