Generation of a swing electron cyclotron current drive (swing ECCD), i.e. driving alternated, symmetric, positive or negative local ECCD, during a single discharge and at constant total input EC power, was performed at the Tokamak à Configuration Variable (TCV). The electron temperature is observed to be modulated inside the deposition radius, implying modulation of the electron transport properties. The modulation of ECCD is the only actuator for the observed modifications in the electron transport properties. These exhibit inverted behaviors depending on the deposition location of the co- and counter-ECCD. At more on-axis depositions, swing ECCD results in a higher electron temperature during the co-ECCD phase, whereas at more off-axis depositions, the electron temperature is higher during the counter-ECCD phase. Transport modeling of these discharges shows that the local electron tranport behavior depends on the value of the modulated magnetic shear. The results are transport model independent, confirming the robustness of the magnetic shear modeling, and indicating that the main contribution is due to the ECCD. Moreover, the results are consistent with predictions from gyrokinetic simulations, that the local electron confinement is proportional to the magnetic shear at low shear and inversely at high shear values, s ≳ 1.
スイング電子サイクロトロン電流駆動（スイングECCD）、すなわち単一放電中に正負の局所ECCDを交互に駆動し、総入力ECパワーを一定に保つ手法を、トカマク・コンフィギュレーション・バリアブル（TCV）において実施した。堆積半径内で電子温度の変調が観測され、電子輸送の変調が示唆された。ECCDの変調が、観測された電子輸送特性の変化に対する唯一のアクチュエータである。これらの特性は、co-ECCDおよびcounter-ECCDの堆積位置に依存して逆転した挙動を示す。より内側への堆積では、スイングECCDによりco-ECCD位相中の電子温度が高くなるのに対し、より外側への堆積では、counter-ECCD位相中の電子温度が高くなる。これらの放電の輸送モデリングは、局所電子輸送挙動が変調された磁気シアの値に依存することを示している。結果は輸送モデルに依存せず、磁気シアモデリングの頑健性を確認し、主たる寄与がECCDによるものであることを示している。さらに、結果はジャイロ運動論シミュレーションの予測と一致し、局所電子閉じ込めは低シアでは磁気シアに比例し、高シア（s ≳ 1）では逆比例することを示している。