Anomalous electron transport is determined by turbulence, which in turn is affected by magnetic shear. A novel application of electron cyclotron current drive (ECCD), aiming at localized shear modulation, has been applied on the TCV tokamak for experiments on shear-dependent electron transport. Pairs of EC beams, absorbed at the same radius, with one oriented for co- and the other for counter-injection, are modulated out of phase in order to force a local modulation of current–density at constant input power. Off-axis deposition (ρdep = 0.24) is performed to avoid the central region, where the low heat flux would make transport analysis difficult. In addition some sawteeth control is achieved in this way. A significant impact on local shear is achieved with IECCD ≈ 0.1IOH, even when the modulation period is much shorter than the current diffusion time across the whole plasma radius. The main result is that although source (heat and particle) terms are constant, both electron density and temperature are modulated during alternated ECCD. Once equilibrium effects are taken into account for appropriate mapping of Thomson scattering measurements onto flux coordinates, modulation of Te and electron pressure, peaked on-axis, is confirmed at all radii internal to EC deposition. The best confinement occurs for co-injection, in which case a local decrease (≈55%) in the magnetic shear causes a decrease in the electron thermal diffusivity of a similar amount (≈65%).
異常電子輸送は乱流によって決定され、その乱流は磁気シアの影響を受ける。局所的なシア変調を目的とした電子サイクロトロン電流駆動（ECCD）の新規応用が、シア依存性電子輸送の実験のためにTCVトカマクに適用された。同じ半径で吸収されるECビームのペアであって、一方はco方向注入、他方はcounter方向注入に配向されたものを、入力パワー一定の条件下で電流密度の局所変調を強制するために逆位相で変調した。中心領域を避けるためにオフアクシス堆積（ρdep = 0.24）が行われた。中心領域では低い熱流束のために輸送解析が困難になるからである。さらに、この方法でいくつかの鋸歯状振動の制御が達成される。IECCD ≈ 0.1IOHにより、変調周期がプラズマ全体の半径にわたる電流拡散時間よりもはるかに短い場合でも、局所シアへの有意な影響が達成された。主な結果は、ソース（熱および粒子）項が一定であるにもかかわらず、交互ECCD中に電子密度と電子温度の両方が変調されることである。トムソン散乱測定のフラックス座標への適切なマッピングのために平衡効果を考慮に入れると、Teおよび電子圧力の変調は、軸上でピークに達し、EC堆積位置より内側のすべての半径で確認される。最良の閉じ込めはco注入の場合に発生し、その場合、磁気シアの局所的減少（≈55％）により、電子熱拡散率が同程度の量（≈65％）減少する。