In a recent series of experiments, electron cyclotron current drive (ECCD) has been successfully used, at a level of 0.75 MW, for current profile tailoring during the current ramp-up in Tore-Supra. The electron cyclotron resonance heating power deposition was varied from on-axis to off-axis and the direction of the driven current from co to counter. In these conditions, the current profile is significantly modified with respect to those typically obtained in pure ohmic scenarios. Central reversed magnetic shear conditions have been achieved with on-axis counter-ECCD, accompanied by high electron temperature gradients, exhibiting internal transport barrier features. This improved electron transport is maintained for some time on the current flat-top when combining ECCD with ion cyclotron resonance heating in a (H)D minority scheme. Integrated interpretative analysis with the CRONOS code confirms that deeply reversed magnetic shear is indeed attained by on-axis counter-ECCD in low density conditions and in combination with a relatively fast controlled current ramp. The high electron temperature gradient is found to be located inside the negative magnetic shear region.
最近の一連の実験において、電子サイクロトロン電流駆動（ECCD）は、Tore-Supraにおける電流ランプアップ中の電流分布調整に、0.75 MWのレベルで成功裏に使用された。電子サイクロトロン共鳴加熱のパワー堆積は、軸上から軸外へ、また駆動電流の方向は共方向から反方向へと変化させられた。これらの条件下では、電流分布は、純粋なオーミック加熱で典型的に得られるものと比較して、有意に変更される。中心部での負の磁気シアは、軸上反方向ECCDによって達成され、内部輸送障壁の特徴を示す高い電子温度勾配を伴った。この改善された電子輸送は、ECCDを（H）D少数種スキームでのイオンサイクロトロン共鳴加熱と組み合わせた場合、電流フラットトップ上でしばらくの間維持される。CRONOSコードを用いた統合的解釈解析により、深い負の磁気シアが、低密度条件下かつ比較的速い制御された電流ランプとの組み合わせにおいて、軸上反方向ECCDによって実際に達成されることが確認された。高い電子温度勾配は、負の磁気シア領域の内部に位置することが見出された。