Reflectometer measurements of electron density perturbations produced by modulation of the gas feed are used to measure the electron source distribution and benchmark Monte Carlo neutral transport calculations. The penetration depth of the source is less than 5% of the plasma radius in medium density plasmas ((ne) approximately 2*1019 m-3). An analysis of the temporal evolution of the electron flux calculated using the measured source yields the diffusion coefficient, De, and the pinch velocity, Vp. The radial profiles and parametric dependences of these particle transport coefficients are studied in Ohmic and L-mode regimes.
反射計による電子密度摂動の測定は、ガス入射の変調によって生成され、電子源の測定とモンテカルロ中性粒子輸送計算のベンチマークに使用される。この源の侵入深さは、中程度密度のプラズマ（(ne) ≈ 2×10¹⁹ m⁻³）においてプラズマ半径の5%未満である。測定された源を用いて計算された電子フラックスの時間発展の解析により、拡散係数Deおよびピンチ速度Vpが得られる。これらの粒子輸送係数の動径分布とパラメトリック依存性は、オーミックおよびLモード領域において研究される。