The formation of electron thermal internal transport barriers (eITBs) is investigated by critical gradient threshold analysis for recent EAST experiments with dominant RF heating and low torque injection. The ratio of electron temperature to ion temperature, τ = Te/Ti, is identified to be the key parameter that triggers eITB in the hot electron mode through electron turbulence suppression by the effect of ion shielding. The critical gradient of electron-temperature-gradient turbulence can be greatly increased with τ due to strong electron heating and weak electron–ion energy coupling. The formation and evolution of eITB is found to be determined by the critical temperature gradient of electron turbulence.
電子熱内部輸送障壁（eITB）の形成について、支配的なRF加熱と低トルク注入を伴う最近のEAST実験に対する臨界勾配閾値解析によって調査した。電子温度とイオン温度の比、τ = Te/Ti が、イオン遮蔽効果による電子乱流抑制を通じて、高温電子モードにおけるeITBを誘発する主要パラメータであることが特定された。電子温度勾配乱流の臨界勾配は、強い電子加熱と弱い電子-イオンエネルギー結合により、τ とともに大幅に増加し得る。eITBの形成と発展は、電子乱流の臨界温度勾配によって決定されることが見出された。