AbstractA 200 keV heavy ion beam probe system has been prepared to measure potential profiles in the compact helical system. Probing beam trajectory is successfully controlled by a secondary beam sweep system to keep the injection angle of the secondary beam constant during the radial scan. As a result, it was observed that the potential profile changes after the neutral beam heating is applied on electron cyclotron heated plasmas.
重イオンビームプローブシステムが、コンパクトヘリカルシステムにおける電位分布を測定するために準備された。プローブビームの軌道は、二次ビームシステムによる掃引によって、半径方向の走査中に二次ビームの入射角を一定に保つよう、首尾よく制御された。その結果、電子サイクロトロン加熱プラズマに中性粒子ビーム加熱を適用した後、電位分布が変化することが観測された。