Impurity source mechanisms which appear during the heating of the Alcator C tokamak by injection of lower hybrid frequency waves are described. Silicon is a dominant impurity in these experiments where SiC was the limiter surface material. At low values of injected power, the silicon source rate is dominated by physical sputtering. As the amount of injected power is raised, evaporation caused by the tail electron heat flux to the limiter becomes the primary source for impurities entering the plasma. Measurements of silicon line emission from the plasma as well as other central and edge parameters are presented as functions of injected radiofrequency power.
低混成周波数波の入射によるAlcator Cトカマクの加熱中に現れる不純物源メカニズムが記述される。これらの実験では、SiCがリミッター表面材料であり、シリコンが主要な不純物である。入射電力が低い場合、シリコンの発生率は物理スパッタリングによって支配される。入射電力の量が増加するにつれて、リミッターへのテール電子熱流束によって引き起こされる蒸発が、プラズマに入る不純物の主要な発生源となる。プラズマからのシリコン線放射の測定、ならびに他の中心部および周辺部パラメータは、入射高周波電力の関数として提示される。