Plasma immersion ion implantation (PIII) is an established technique in certain niche microelectronics applications such as the synthesis of silicon-on-insulator. In other applications such as shallow junction formation by plasma doping, trench doping, and fabrication of blue light emitting materials, PIII has unique advantages over conventional techniques and may be the technique of choice in the future. There have been significant developments in these areas and recent breakthroughs in plasma and trench doping are discussed in this review paper. Results pertaining to direct-current PIII that excels in planar sample processing as well as the optical characteristics of nano-cavities produced by hydrogen PIII are also presented.
プラズマ浸漬イオン注入（PIII）は、シリコン・オン・インシュレータの合成などの特定のニッチなマイクロエレクトロニクス応用において確立された技術である。浅接合形成のためのプラズマドーピング、トレンチドーピング、青色発光材料の作製などの他の応用において、PIIIは従来技術に対して独自の利点を有し、将来有望な技術となり得る。これらの分野では大きな進展があり、本総説論文では、プラズマドーピングとトレンチドーピングにおける最近のブレークスルーについて論じる。また、平面試料の処理に優れる直流PIIIに関する結果と、水素PIIIによって作製されたナノキャビティの光学特性に関する結果も併せて示す。