イオン注入（Ion implantation）は、核融合・プラズマ物理学の手法。加速したイオンを固体材料の表層に打ち込み、組成や微細構造を変えることで物理的・化学的特性を制御する手法である。核融合分野ではプラズマ対向材料の損傷評価や改質に用いられ、特に中性子照射損傷の模擬や水素同位体保持の研究に不可欠である。この用語集が追う論文のうち、タイトルにこの主題が現れるものは35本ある。比重が最も大きかったのは1995–1999年で、その期間の論文の0.11%を占めた。直近の2025–2029年では0.05%。この用語集がこの主題を最初に拾うのは1995年以降で、それ以前の収録論文には現れない。
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研究の変遷
1995–20049本 · 0.09%
プラズマ浸漬イオン注入とシース物理
この時代の論文は、プラズマ浸漬イオン注入(PIII)法を中心に、パルスシースのダイナミクスや帯電効果を扱っている。ダストプラズマや半導体応用、高線量金属イオン注入など、応用範囲が広がった。
この時代の論文から
- Semiconductor applications of plasma immersion ion implantationPlasma Physics and Controlled Fusion 2003
- X-ray photoelectron spectroscopy study on change of chemical state of diamond window by ion implantationFusion Engineering and Design 2003
- Pulsed sheath dynamics in a small cylindrical bore with an auxiliary electrode for plasma immersion ion implantationPhysics of Plasmas 1997
- Charging effects on temporal and spatial evolution of the dusty plasma sheath in plasma source ion implantation
この数字の作り方
- 数え方 —
- 同じものが別の名前で書かれていてもまとめて数えている。綴りが変わった時期に推移が動いて見える、ということは起きない
- 割合 —
- その時代の収録論文全体に占める比率。コーパスは1970年代より2010年代のほうが9倍大きいため、本数のままではほとんどの主題が右肩上がりに見えてしまう
- 記述 —
- その時代の論文・共起する主題・登場する装置だけを根拠にAIが書いている
- 冒頭の定義 —
- 用語そのものの説明だけは、論文8本の要旨を読ませたうえでAIの分野知識で書かせている。ここだけは収録論文に書かれていることの要約ではない
- 範囲 —
- 収録は6誌に限られる。ここで減っていることは、分野がその取り組みをやめたことを意味しない