The rapid formation of an electron internal transport barrier (eITB) is observed during a slow evolution (≃200 ms) from a centrally peaked to a hollow current density profile, while all external actuators remain constant. The time constant for the barrier formation appears to be shorter than the electron energy confinement time. The improved confinement associated with the barrier formation occurs first in a localized region off-axis. Then the effects propagate to inner and outer flux surfaces on a confinement time scale. The temporal and spatial localizations of the barrier formation suggest a threshold in the magnetic shear profile that triggers the onset of the eITB. The threshold-like behaviour can be attributed to the sudden appearance of a minimum q (or zero-shear) flux surface in the safety factor profile. Based on modelling of the current profile evolution using the ASTRA transport code, the appearance of the zero-shear flux surface is correlated with the temporal and spatial formation of the barrier.
電子内部輸送障壁（eITB）の急速な形成が、すべての外部アクチュエータを一定に保ったまま、中心ピーク型から中空型への電流密度分布の緩やかな発展（≃200 ms）の間に観測される。障壁形成の時定数は、電子エネルギー閉じ込め時間よりも短いように見える。障壁形成に伴う閉じ込め改善は、まず軸外の局所領域で発生する。その後、その効果は閉じ込め時間スケールで内側および外側の磁気面へ伝播する。障壁形成の時間的・空間的局在性は、eITBの開始を引き起こす磁気シア分布における閾値の存在を示唆する。この閾値様の挙動は、安全係数分布における最小q（またはゼロシア）磁気面の突然の出現に起因すると考えられる。ASTRA輸送コードを用いた電流分布発展のモデリングに基づくと、ゼロシア磁気面の出現は障壁の時間的・空間的形成と相関している。