The formation of electron internal transport barriers (ITBs) was studied using electron cyclotron (EC) heating in JT-60U positive shear (PS) and reversed shear (RS) plasmas with scan of neutral beam (NB) power. With no or low values of NB power and with a small radial electric field (Er) gradient, a strong, box-type electron ITB was formed in RS plasmas while a peaked profile with no strong electron ITBs was observed in PS plasmas within the available EC power. When the NB power and the Er gradient were increased, the electron transport in strong electron ITBs with EC heating in RS plasmas was not affected, while electron thermal diffusivity was reduced in conjunction with the reduction of ion thermal diffusivity, and strong electron and ion ITBs were formed in PS plasmas.
電子内部輸送障壁（ITB）の形成を、JT-60Uの正磁気シア（PS）および反転磁気シア（RS）プラズマにおいて、中性粒子ビーム（NB）パワーを走査しながら電子サイクロトロン（EC）加熱を用いて研究した。NBパワーがゼロまたは低く、動径電場（Er）勾配が小さい場合、RSプラズマでは強い箱型の電子ITBが形成された一方、PSプラズマでは利用可能なECパワーの範囲内で強い電子ITBを伴わないピーク状の分布が観測された。NBパワーとEr勾配を増加させると、RSプラズマにおけるEC加熱を伴う強い電子ITBの電子輸送は影響を受けなかった一方、電子熱拡散係数はイオン熱拡散係数の低減と連動して減少し、PSプラズマでは強い電子およびイオンITBが形成された。